项目概述：半导体激光芯片是是用半导体材料作为工作物质的激光器。它体积小、寿命长，广泛应用于民用和军事领域。其中传感用半导体激光器市场需求旺盛，主要用于激光雷达、气体探测、生物医疗、电子信息等方面，但该产品目前由国外公司垄断，单价高达2-3万元每支。随着云计算、物联网、移动互联网等应用的发展，2015年5月国务院提出“速宽中国”战略和网络强国战略，光通信作为最重要的通信基础设施其重要性日益凸显。虽然近几年我国通信行业发展迅速，但并未掌握芯片制造的核心技术，国内电信用半导体激光芯片则完全依赖进口，市场缺口巨大。高端半导体激光芯片项目填补国内空白，大有可为。
　　该项目由中科院半导体研究科所提供技术支持，从2008年开始研制2微米波段传感用激光器，经过多年积累和攻关已完全掌握了2微米波段半导体激光芯片到激光器的整个技术流程，通过中试产品各项指标均达到国际先进水平。项目主要工艺为磷铟气化，制备磷化铟基传感用半导体激光芯片。
　　建设规模及内容：项目占地面积1.5万平方米，厂房面积3000平方米，主要建设年产2万支传感用半导体激光芯片和年产1万支通信用半导体激光芯片生产线及附属设施。
　　投资估算：投资1.6亿元，其中1.1亿元为建设资金，0.5亿元为技术转让资金。
　　经济效益：项目建设期为2年，达产后年可实现销售收入6亿元。
　　前期工作：项目可研目前正在编制中。
　　合作方式：独资、合作。
　　联系人:彭海涛         电话:13804831782